DIO1286采用低导通电阻（RON）内部场效应管（FET），工作电压范围为2.5 VDC至20 VDC。DIO1286内置钳位电路可分流>100V的浪涌电压，保护下游元件并增强系统稳健性。DIO1286具备过压保护功能，当输入电压超过OVP阈值时将关闭内部FET。OVP阈值可通过选配外部电阻调节。过温保护功能可在温度达到130°C（典型值）时关闭器件。极低的关断电流（最大<1μA）有助于满足待机功耗要求。DIO1286采用符合环保标准的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片封装（WLCSP），背面带层压板。

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